Транзистор 2SB1012K pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1012K. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 20W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 4V
Ток коллектора (Iк): 1.5A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 2K/30K
Производитель: HITACHI
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.