Транзистор 2SB1017-Y pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1017-Y. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
9MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
130
Коэффициент усиления (hFE)
120/240
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Power, General Purpose
Искать 2SB1017-Y в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее