Транзистор 2SB1032K pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1032K. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 80W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 165єC
Коэффициент усиления (hFE): 1K/20K
Производитель: HITACHI
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.