Транзистор 2SB1036 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1036. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
20mA
Температура перехода (Tj)
185єC
Коэффициент усиления (hFE)
200T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Low Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB1036 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее