Транзистор 2SB1050 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1050. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 5A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 160T
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.