Транзистор 2SB1101 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1101. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
40W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
1K/20K
Производитель
HITACHI
Применение
Darlington, Power

Аналоги

2N6297 BD716 KT709A2

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB1101 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее