Транзистор 2SB1110 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1110. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 10W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 200V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 200V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 6V
- Ток коллектора (Iк)
- 100mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 140MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 5.5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 60/320
- Производитель
- HITACHI
- Применение
- Low Power, High Voltage, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SB1110 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.