Транзистор 2SB1117 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1117. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 3A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 140MHz
Коэффициент усиления (hFE): 80/160
Производитель: HITACHI
Применение: RF, Power, General Purpose

Аналоги

2N6730 KT639E

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.