Транзистор 2SB1118T pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1118T. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
750mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
20V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
9V
Ток коллектора (Iк)
700mA
Температура перехода (Tj)
165єC
Граничная частота (Fгр)
250MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
13
Коэффициент усиления (hFE)
200/400
Производитель
HITACHI
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать 2SB1118T в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее