Транзистор 2SB1120 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1120. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 1W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 10V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 7V
- Ток коллектора (Iк)
- 2.5A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 250MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 70
- Коэффициент усиления (hFE)
- 100/560
- Производитель
- HITACHI
- Применение
- RF, Power, General Purpose
Искать 2SB1120 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.