Транзистор 2SB1125 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1125. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 500mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 80V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 50V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 10V
- Ток коллектора (Iк)
- 700mA
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 200MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 9
- Коэффициент усиления (hFE)
- 5KMIN
- Производитель
- SANYO
- Применение
- RF, Medium Power, Darlington
Искать 2SB1125 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.