Транзистор 2SB1126 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1126. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
1.5W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
120MHz
Коэффициент усиления (hFE)
4KMIN
Производитель
SANYO
Применение
RF, Medium Power, Darlington
Искать 2SB1126 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее