Транзистор 2SB1127S pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1127S. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
10W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
20V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
7V
Ток коллектора (Iк)
5A
Температура перехода (Tj)
185єC
Граничная частота (Fгр)
320MHz
Коэффициент усиления (hFE)
140/280
Производитель
NEC
Применение
RF, Power, General Purpose
Искать 2SB1127S в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее