Транзистор 2SB1176 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1176. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 15W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 130V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 130V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 5A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90/180
- Производитель
- HITACHI
- Применение
- High Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SB1176 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.