Транзистор 2SB1179 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1179. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
15W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
60V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
60V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
4A
Температура перехода (Tj)
175єC
Коэффициент усиления (hFE)
5000T
Производитель
HITACHI
Применение
Darlington, Power
Искать 2SB1179 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее