Транзистор 2SB1189R pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1189R. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
700mA
Температура перехода (Tj)
195єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Коэффициент усиления (hFE)
180/390
Производитель
ROHM
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать 2SB1189R в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее