Транзистор 2SB1212 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1212. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
160V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
140V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
12V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
165єC
Коэффициент усиления (hFE)
200T
Производитель
NEC
Применение
RF, Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB1212 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее