Транзистор 2SB1217 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1217. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 10W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 60V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 45V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 7V
- Ток коллектора (Iк)
- 3A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 25MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 120T
- Производитель
- MATSUSHITA
- Применение
- RF, Power, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SB1217 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.