Транзистор 2SB1222 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1222. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
500mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
40V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
12V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
165єC
Коэффициент усиления (hFE)
160T
Производитель
TOSHIBA
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB1222 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее