Транзистор 2SB1256 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1256. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1.2W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 12V
Ток коллектора (Iк): 2A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 2000T
Производитель: MATSUSHITA
Применение: Darlington, Power

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.