Транзистор 2SB1387 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB1387. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 1W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 120V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 120V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 7V
- Ток коллектора (Iк)
- 1.5A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 60MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 2000T
- Производитель
- NEC
- Применение
- RF, Medium Power, Darlington
Искать 2SB1387 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.