Транзистор 2SB159 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB159. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 60mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 7V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 7V
Ток коллектора (Iк): 5mA
Температура перехода (Tj): 65єC
Граничная частота (Fгр): 400KHz
Коэффициент усиления (hFE): 80T
Производитель: HITACHI
Применение: Low Power, Low Noise, General Purpose

Аналоги

2N581 GT108A OC59

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.