Транзистор 2SB306 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB306. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 75mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 105V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 50V
Ток коллектора (Iк): 20mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 400KHz
Коэффициент усиления (hFE): 50T
Производитель: FUJITSU
Применение: Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

2N1176 ACY39

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.