Транзистор 2SB325 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB325. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1.8W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 50V
Ток коллектора (Iк): 600mA
Температура перехода (Tj): 85єC
Коэффициент усиления (hFE): 20/250
Производитель: FUJITSU
Применение: Medium Power, High Voltage

Аналоги

2N1176 ACY17

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.