Транзистор 2SB329 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB329. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Коэффициент усиления (hFE)
150T
Производитель
FUJITSU
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB329 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее