Транзистор 2SB398 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB398. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
30V
Ток коллектора (Iк)
80mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Коэффициент усиления (hFE)
25MIN
Производитель
FUJITSU
Применение
Low Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 2 из 2. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB398 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее