Транзистор 2SB410S pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB410S. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 40W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 80V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 80V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 15A
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Граничная частота (Fгр)
- 3MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 30/100
- Производитель
- SANYO
- Применение
- High Power, High Voltage, High Frequency
Искать 2SB410S в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.