Транзистор 2SB411S pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB411S. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
40W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
11A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
2.5MHz
Коэффициент усиления (hFE)
60T
Производитель
SANYO
Применение
High Power, High Voltage, High Frequency
Искать 2SB411S в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее