Транзистор 2SB430 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB430. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
80W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
70V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
20A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
100KHz
Коэффициент усиления (hFE)
10MIN
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB430 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее