Транзистор 2SB636 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB636. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 150mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 32V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 10V
- Ток коллектора (Iк)
- 150mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 1MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90T
- Производитель
- MATSUSHITA
- Применение
- Low Power, Low Noise, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SB636 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.