Транзистор 2SB646A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB646A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Ток коллектора (Iк)
50mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
70MHz
Коэффициент усиления (hFE)
60/320
Производитель
HITACHI
Применение
Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB646A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее