Транзистор 2SB648A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB648A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 1W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 180V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 160V
Ток коллектора (Iк): 50mA
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 140MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 4.5
Коэффициент усиления (hFE): 60/200
Производитель: HITACHI
Применение: Low Power, Medium Voltage, General Purpose

Аналоги

BF470

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.