Транзистор 2SB648D pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB648D. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 1W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 180V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 120V
- Ток коллектора (Iк)
- 50mA
- Температура перехода (Tj)
- 150єC
- Граничная частота (Fгр)
- 140MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 4.5
- Коэффициент усиления (hFE)
- 160/320
- Производитель
- HITACHI
- Применение
- Low Power, Medium Voltage, General Purpose
Искать 2SB648D в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.