Транзистор 2SB655A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB655A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 100W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 160V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 7A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Коэффициент усиления (hFE): 35/200
Производитель: HITACHI
Применение: High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

2N6248 2SA679 2SB681 2SB697 BD246C ECG281 KT87B

В справочнике: 6 из 7. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.