Транзистор 2SB710 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB710. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
240mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
100MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6
Коэффициент усиления (hFE)
60/340
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N5813 BC807 KT664G

В справочнике: 2 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB710 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее