Транзистор 2SB756 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB756. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 120W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 200V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 200V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 15A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 10MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 450
- Коэффициент усиления (hFE)
- 55/160
- Производитель
- TOSHIBA
- Применение
- High Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SB756 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.