Транзистор 2SB789 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB789. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
1W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
60MHz
Коэффициент усиления (hFE)
65/330
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB789 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее