Транзистор 2SB811 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB811. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
350mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
30V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
135єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
36
Коэффициент усиления (hFE)
200T
Производитель
NEC
Применение
Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB811 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее