Транзистор 2SB832 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB832. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
25W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
1000V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
10V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
4.3
Коэффициент усиления (hFE)
50MIN
Производитель
SONY
Применение
Low Power, High Voltage, General Purpose
Искать 2SB832 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее