Транзистор 2SB835 pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB835. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 500mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 20V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 20V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 1A
- Температура перехода (Tj)
- 135єC
- Граничная частота (Fгр)
- 100MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 40
- Коэффициент усиления (hFE)
- 90/360
- Производитель
- MATSUSHITA
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать 2SB835 в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.