Транзистор 2SB845 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB845. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 35W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 130V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 110V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 4A
Температура перехода (Tj): 175єC
Коэффициент усиления (hFE): 100T
Производитель: HITACHI
Применение: Medium Power, General Purpose

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.