Транзистор 2SB857 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB857. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 50V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 4A
Температура перехода (Tj): 175єC
Граничная частота (Fгр): 7.5MHz
Коэффициент усиления (hFE): 60/320
Производитель: HITACHI
Применение: Power, General Purpose

Аналоги

2N6047 2SA489 2SB858 BD244 KT818G

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.