Транзистор 2SB857D pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB857D. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- SI
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 40W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 50V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 50V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 5V
- Ток коллектора (Iк)
- 4A
- Температура перехода (Tj)
- 175єC
- Граничная частота (Fгр)
- 7.5MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 160/320
- Производитель
- HITACHI
- Применение
- Power, General Purpose
Искать 2SB857D в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.