Транзистор 2SB884 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB884. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
110V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
90V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
3A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
20MHz
Коэффициент усиления (hFE)
4000T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Darlington, Power

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB884 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее