Транзистор 2SB888 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB888. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 600mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 80V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 10V
Ток коллектора (Iк): 700mA
Температура перехода (Tj): 135єC
Граничная частота (Fгр): 170MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 16
Коэффициент усиления (hFE): 3KMIN
Производитель: SANYO
Применение: Darlington, Medium Power

Аналоги

BC878

В справочнике: 1 из 1. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.