Транзистор 2SC1162WT npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC1162WT. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
35V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
1.5A
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
90MHz
Коэффициент усиления (hFE)
80T
Производитель
HITACHI
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SC1162WT в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее