Транзистор 2SC1962 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC1962. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
950mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
8V
Ток коллектора (Iк)
500mA
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
22MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
24
Коэффициент усиления (hFE)
70/350
Производитель
SONY
Применение
Medium Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SC1962 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее