Транзистор 2SC1982 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC1982. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
625mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
140V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
140V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
150єC
Граничная частота (Fгр)
60MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
6.5
Коэффициент усиления (hFE)
51/276
Производитель
SONY
Применение
RF, Medium Power, High Voltage

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SC1982 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее