Транзистор 2SC3581 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC3581. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
900mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
65V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
50V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
400mA
Температура перехода (Tj)
125єC
Граничная частота (Fгр)
150MHz
Коэффициент усиления (hFE)
30/500
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SC3581 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее