Транзистор 2SC3599E npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SC3599E. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
SI
Структура
NPN
Рассеиваемая мощность (Pc)
8W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
120V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
4V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
175єC
Граничная частота (Fгр)
500MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2.9
Коэффициент усиления (hFE)
100/200
Производитель
SANYO
Применение
UHF, Low Power, Low Noise
Искать 2SC3599E в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

✓
✓

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее